Stencil AFM-probe para la colocación controlada de dopantes.
Habilitación de la electrónica atómica y cuántica
El desarrollo futuro de dispositivos electrónicos más allá de CMOS está programado para basarse en una única o pocas QD de dopantes. La capacidad de posicionar con precisión cada átomo dopante es un paso fundamental para permitir el camino hacia la futura electrónica atomística y cuántica. El desarrollo de una computadora cuántica accesible se ha convertido en un desafío primordial para el desarrollo de enfoques completamente novedosos en nanofabricación y nanotecnología en la última década. Los espines de electrones y núcleos de átomos dopantes incrustados en silicio son prometedores candidatos a qubit cuánticos.
Herramienta basada en una sonda de escaneo que permite la colocación determinista de dopantes.
Nano analytik GmbH estableció un sistema basado en una sonda de escaneo como un módulo adicional que se puede usar para la colocación de dopantes deterministas con cualquier sistema de haz de iones, como:
- Sistemas de haz de iones enfocados (por ejemplo, utilizando fuentes de iones metálicos líquidos)
- Fuentes de iones de alto brillo que emergen rápidamente (por ejemplo, basadas en trampas magnetoópticas o en iones enfriados por láser)
- Sistemas de transporte de haz y fuente de iones de haz ancho y relativamente bajo brillo más convencionales
Los donantes se pueden colocar en silicona o diamante.
La herramienta SII se basa en nuestro sistema AFMinSEM compacto que proporciona imágenes sin contacto de alta velocidad con resolución atómica en condiciones de alto vacío.
En combinación con nuestra litografía de sonda de escaneo de emisión de campo (FE-SPL) para la fabricación de puertas de control y lectura, la herramienta nano analítica allana el camino hacia la fabricación de matrices de qubit.
En resumen, se ha desarrollado un sistema AFM de alto vacío versátil que puede obtener imágenes a altas velocidades con resolución atómica sin la necesidad de componentes externos. Aquí, la precisión de posicionamiento de AFM y las funciones de la plantilla dinámica por debajo de 5 nm se pueden combinar con esquemas deterministas de detección de impacto de iones únicos de tipo de sustrato activo y la capacidad de detectar impactos de iones únicos y también, permite la implantación de dopantes con detección de impacto integrada en el sustrato Esta técnica ya ha sido implementado por varios grupos en Alemania, Estados Unidos y Australia.
